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AO4410	文件：1.68087 Mbytes Page：6 Pages	丝印：AO4410；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET Features ● VDS(V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.68087 Mbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4410	文件：1.73635 Mbytes Page：6 Pages	丝印：AO4410；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET Features VDS (V) = 30V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.73635 Mbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4410	文件：1.68087 Mbytes Page：6 Pages	丝印：AO4410；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET Features ● VDS(V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.68087 Mbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4410	文件：1.73635 Mbytes Page：6 Pages	丝印：AO4410；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET Features VDS (V) = 30V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.73635 Mbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4410	文件：110.46 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. Standard product AO4410 文件：110.46 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4410	文件：2.094139 Mbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO4410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. Product Summary 文件：2.094139 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4410	文件：1.26599 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.26599 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4410	文件：1.37175 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.37175 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4410-HF	文件：1.44818 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.44818 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4410L	文件：110.46 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. Standard product AO4410 文件：110.46 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4410
制造商：
AOSMD
制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO4410供应商更新时间2025-11-3 10:02:00

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