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AO4435	文件：976.65 Kbytes Page：5 Pages	Marking：AO4435；Package：SOP-8；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4435	文件：687.18 Kbytes Page：5 Pages	Marking：AO4435；Package：SOP-8；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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Marking：AO4435；Package：SOP-8；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

AO4435

文件：687.18 Kbytes

Page：5 Pages

Marking：AO4435；Package：SOP-8；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

详细参数

型号：
AO4435
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -10.5A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO4435供应商更新时间2025-6-8 10:02:00

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