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AO4614	文件：358.17 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AO4614；Package：SOP-8；40V P-Channel and N-Channel MOSFET Product Summary N-Channel P-Channel VDS (V) = 40V, -40V ID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V) RDS(ON) 文件：358.17 Kbytes 页数：9 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4614	文件：316.28 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AO4614；Package：SOP-8；40V P-Channel and N-Channel MOSFET General Description The AO4614 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. 文件：316.28 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4614	文件：358.17 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AO4614；Package：SOP-8；40V P-Channel and N-Channel MOSFET Product Summary N-Channel P-Channel VDS (V) = 40V, -40V ID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V) RDS(ON) 文件：358.17 Kbytes 页数：9 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4614	文件：316.28 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AO4614；Package：SOP-8；40V P-Channel and N-Channel MOSFET General Description The AO4614 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. 文件：316.28 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4614A	文件：2.26095 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4614A；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 40V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：2.26095 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4614A-HF	文件：2.39477 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4614A；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 40V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：2.39477 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4614B	文件：1.62947 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4614B；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 40V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.62947 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4614B	文件：3.90906 Mbytes Page：6 Pages	丝印：4614B；Package：SOP8；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Application \| « Reverse Battery protection ~~ « Load switch \| « Power management « Motor Control \| « Portable Power Adaptors \| 文件：3.90906 Mbytes 页数：6 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4614B-HF	文件：3.10222 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4614B；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 40V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：3.10222 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4614	文件：142.89 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4614 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard Product AO4614 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4614L is 文件：142.89 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4614
制造商：
AOSMD
制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述：
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更多AO4614供应商更新时间2025-11-4 17:01:00

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