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AOD4184A  | 丝印:AOD4184A;Package:TO-252-3L;40V N-Channel MOSFET Features Vds=60V, ID=53A RDS(ON)12m0@VGS=10V RDS(ON) 17m@VGS-4.5V 文件:1.4766 Mbytes 页数:5 Pages  | TECHPUBLIC 台舟电子  | TECHPUBLIC  | |
AOD4184A  | 丝印:AOD4184A;Package:TO-252-3L;40V N-Channel MOSFET Features Vds=60V, ID=53A RDS(ON)12m0@VGS=10V RDS(ON) 17m@VGS-4.5V 文件:1.4766 Mbytes 页数:5 Pages  | TECHPUBLIC 台舟电子  | TECHPUBLIC  | |
AOD4184A  | 丝印:DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:293.5 Kbytes 页数:2 Pages  | ISC 无锡固电  | ISC  | |
AOD4184A  | 40V N-Channel MOSFET General Description The AOD4184A combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is well suited for high current load applications. Product Summary VDS 40V ID(at VGS=10V) 50A RDS(ON)(at VGS=10V) 文件:237.86 Kbytes 页数:6 Pages  | AOSMD 万国半导体  | AOSMD  | |
AOD4184A  | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件:1.00447 Mbytes 页数:8 Pages  | VBSEMI 微碧半导体  | VBSEMI  | |
AOD4184A  | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件:1.69059 Mbytes 页数:5 Pages  | DOINGTER 杜因特  | DOINGTER  | 
详细参数
- 型号:
AOD4184A
 - 功能描述:
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
 - RoHS:
是
 - 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
 - 系列:
-
 - 标准包装:
1,000
 - 系列:
MESH OVERLAY™ FET
 - 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
 - 特点:
逻辑电平门
 - 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
 - C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
 - C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
 - Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
 - Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
 - Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
 - 最大:
40W
 - 安装类型:
通孔
 - 封装/外壳:
TO-220-3 整包
 - 供应商设备封装:
TO-220FP
 - 包装:
管件
 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-252-2(DPAK)  | 
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