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AOD4184A | 丝印:AOD4184A;Package:TO-252-3L;40V N-Channel MOSFET Features Vds=60V, ID=53A RDS(ON)12m0@VGS=10V RDS(ON) 17m@VGS-4.5V 文件:1.4766 Mbytes 页数:5 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC | |
AOD4184A | 丝印:AOD4184A;Package:TO-252-3L;40V N-Channel MOSFET Features Vds=60V, ID=53A RDS(ON)12m0@VGS=10V RDS(ON) 17m@VGS-4.5V 文件:1.4766 Mbytes 页数:5 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC | |
AOD4184A | 丝印:DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:293.5 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
AOD4184A | 40V N-Channel MOSFET General Description The AOD4184A combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is well suited for high current load applications. Product Summary VDS 40V ID(at VGS=10V) 50A RDS(ON)(at VGS=10V) 文件:237.86 Kbytes 页数:6 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | |
AOD4184A | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件:1.00447 Mbytes 页数:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
AOD4184A | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件:1.69059 Mbytes 页数:5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER |
详细参数
- 型号:
AOD4184A
- 功能描述:
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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AOS/美国万代 |
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TO-252-2(DPAK) |
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