ISL60002CIH312Z-TK芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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ISL60002CIH312Z-TK	文件：2.35923 Mbytes Page：40 Pages	丝印：AOS；Package：3LdSOT-23；Precision Low Power FGA Voltage References The ISL60002 FGA voltage references are very high precision analog voltage references fabricated using the Renesas proprietary Floating Gate Analog (FGA) technology and feature low supply voltage operation at ultra-low 350nA operating current. Features • Reference voltages . . . . . 1.024V, 1.2V 文件：2.35923 Mbytes 页数：40 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
AOS2182471	文件：482.43 Kbytes Page：2 Pages	CREE Silicon Carbide MOSFET Evaluation Kit Description: This Evaluation kit is meant to demonstrate the high performance of all CREE 1200V MOSFETs and CREE Schottky diodes (SBD) in standard TO-247 package. The kit includes two Cree 80mOhm, 1200V CREE MOSFETs and two 1200V 20A schottky diodes; a half bridge configured evaluation board that 文件：482.43 Kbytes 页数：2 Pages	Cree 科锐	Cree
AOSD21307	文件：336.15 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：336.15 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSD21311C	文件：350.72 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：350.72 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSD21313C	文件：334.91 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：334.91 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSN21319C	文件：312.87 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) • Low Gate Charge • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • This device is ideal for Load Switch 文件：312.87 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSP21307	文件：313.41 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：313.41 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSP21311C	文件：559.08 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：559.08 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSP21313C	文件：326.89 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：326.89 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOSP21321	文件：304.04 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge 文件：304.04 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AOS
功能描述：
IC VREF SERIES PREC SOT-23-3
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - 电压基准
系列：
FGA™
标准包装：
1
系列：
-
基准类型：
旁路，可调节，精度
输出电压：
2.495 V ~ 36 V
容差：
±1%
温度系数：
标准值 34ppm/°C
输入电压：
2.495 V ~ 36 V
通道数：
1 电流 -
阴极：
1mA 电流 -
静态：
- 电流 -
输出：
100mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3
包装：
剪切带(CT)
产品目录页面：
1073(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
296-17329-1

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更多AOS供应商更新时间2025-9-21 14:14:00

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