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AOSD21307

30V Dual P-Channel MOSFET

General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge

文件:336.15 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AOSD21307

P沟道MOSFET (8V - 60V)

30V Dual P-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOSP21307

30V P-Channel MOSFET

General Description • Latest Advanced Trench Technology • Low RDS(ON) • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • Notebook AC-in Load Switch • Battery Protection Charge/Discharge

文件:313.41 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

EVQ21307K

Works with low cost MSP430 based LaunchPad platform

文件:335.81 Kbytes 页数:15 Pages

TI

德州仪器

EVQ21307K

Works with MSP430 Launchpad

文件:554.13 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • Package:

    SO8

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    P

  • VDS (V):

    -30

  • VGS (±V):

    25

  • 10V:

    16

  • 4.5V:

    28

  • ID @ 25°C (A):

    -9

  • PD @ 25°C (W):

    2

  • Qg (4.5V)(nC):

    17

  • Qg (10V)(nC):

    36.50

  • VGS(th) max (V):

    -2.30

  • Ciss (pF):

    1995

  • Coss (pF):

    300

  • Crss (pF):

    260

  • Qgd (nC):

    9

  • tD(on) (ns):

    12.50

  • tD(off) (ns):

    43

  • Trr (ns):

    13.50

  • Qrr (nC):

    21.50

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    Yes

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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