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AO4805	文件：508.1 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4805；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -9A RDS(ON) 文件：508.1 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4805	文件：675.21 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4805；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET General Description The AO4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -30V ID = -9A RDS(ON) 文件：675.21 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4805	文件：508.1 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4805；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -9A RDS(ON) 文件：508.1 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4805	文件：675.21 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4805；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET General Description The AO4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -30V ID = -9A RDS(ON) 文件：675.21 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4805	文件：1.16957 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4805；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -9 A (VGS = -20V) ● RDS(ON) 文件：1.16957 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4805-HF	文件：1.80663 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4805；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -9 A (VGS = -20V) ● RDS(ON) 文件：1.80663 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4805	文件：317.6 Kbytes Page：6 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4805 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS -30V) ID (at V 文件：317.6 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4805	文件：1.30472 Mbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=-30V,ID=-7A,RDS(ON) 文件：1.30472 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4805	文件：1.86311 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs - Game Stations 文件：1.86311 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4805	文件：254.75 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET 文件：254.75 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4805
功能描述：
MOSFET DUAL P-CH -30V -8A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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