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AO4826	文件：420.67 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Features VDS = 60V ID =6.3 A RDS(ON) 文件：420.67 Kbytes 页数：8 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4826	文件：368.82 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features VDS = 60V ID =6.3 A RDS(ON) 文件：368.82 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4826	文件：420.67 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Features VDS = 60V ID =6.3 A RDS(ON) 文件：420.67 Kbytes 页数：8 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4826	文件：368.82 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features VDS = 60V ID =6.3 A RDS(ON) 文件：368.82 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4826-HF	文件：1.74627 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 6.3A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.74627 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4826	文件：111.3 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4826 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4826L is a Green Product order 文件：111.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4826L	文件：111.3 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4826 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4826L is a Green Product order 文件：111.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4826	文件：170.3 Kbytes Page：4 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET 文件：170.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4826	文件：1.08332 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08332 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4826_10	文件：170.3 Kbytes Page：4 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET 文件：170.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4826
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 60V 6.3A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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