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AO4828	文件：793.82 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Features VDS = 60V ID = 6.5 A RDS(ON) 文件：793.82 Kbytes 页数：7 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4828	文件：987.68 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET Description The AO4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 60V ID = 6.5 A RDS(ON) 文件：987.68 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4828	文件：793.82 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Features VDS = 60V ID = 6.5 A RDS(ON) 文件：793.82 Kbytes 页数：7 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4828	文件：987.68 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET Description The AO4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 60V ID = 6.5 A RDS(ON) 文件：987.68 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4828	文件：1.06351 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 4.5A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.06351 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4828-HF	文件：1.78266 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4828；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 4.5A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.78266 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4828	文件：109.93 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4828 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4828L is a Green Product order 文件：109.93 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4828	文件：1.08328 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：1.08328 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4828L	文件：109.93 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4828 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4828 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4828L is a Green Product order 文件：109.93 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4828	文件：173.96 Kbytes Page：4 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET 文件：173.96 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4828
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 60V 4.5A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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