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AOD444	文件：534.69 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AOD444；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Product Summary VDS 60V ID (at VGS=10V) 12A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：534.69 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AOD444	文件：534.69 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AOD444；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET Product Summary VDS 60V ID (at VGS=10V) 12A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：534.69 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AOD444	文件：309.61 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 12A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 60mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lo 文件：309.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD444	文件：2.5065 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=60V,ID=20A,RDS(ON) 文件：2.5065 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AOD444	文件：254.37 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD444 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. AOD444L (Green Product) is offered in a lead-free package. Features VDS (V) = 文件：254.37 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD444	文件：1.77127 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 12 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.77127 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AOD444	文件：1.00194 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Material categorization: For definitions of compliance please see APPLICATIONS • DC/DC Converters • DC/AC Inverters • Motor Drives 文件：1.00194 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD444	文件：553.17 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD444 combine advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). Those devices are suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Product Summary VDS 60V ID (at VGS=10V) 12A RDS(ON) (at VGS 文件：553.17 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AOD444	文件：125.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：125.77 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AOD444L	文件：125.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：125.77 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
AOD444
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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