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AO4807	文件：380.68 Kbytes Page：6 Pages	Marking：AO4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-6A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4807	文件：362.6 Kbytes Page：6 Pages	Marking：AO4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4807usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgate charge.Thisdeviceissuitableforuseasaload switchorinPWMapplications. Features VDS(V)=-30V ID=-6A(VGS=-10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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AO4807

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Marking：AO4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET

Features VDS(V)=-30V ID=-6A(VGS=-10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

AO4807

文件：362.6 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：AO4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAO4807usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgate charge.Thisdeviceissuitableforuseasaload switchorinPWMapplications. Features VDS(V)=-30V ID=-6A(VGS=-10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

详细参数

型号：
AO4807
功能描述：
MOSFET DUAL P-CH -30V -6A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多AO4807供应商更新时间2025-7-13 10:02:00

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