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AO4807 | 丝印：AO4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -6 A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：380.68 Kbytes 页数：6 Pages | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | UMW | |
AO4807 | 丝印：AO4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET General Description The AO4807 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -30V ID = -6 A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：362.6 Kbytes 页数：6 Pages | EVVOSEMI 翊欧 | EVVOSEMI | |
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AO4807 | 丝印：AO4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET General Description The AO4807 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -30V ID = -6 A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：362.6 Kbytes 页数：6 Pages | EVVOSEMI 翊欧 | EVVOSEMI | |
AO4807 | 丝印：4807；Package：SOP-8；Dual P-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET Application © DCOCConverters. © Load Switch © PowerManagement 文件：1.94748 Mbytes 页数：5 Pages | TECHPUBLIC 台舟电子 | TECHPUBLIC | |
AO4807 | 丝印：4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：2.30941 Mbytes 页数：5 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | |
丝印：4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：3.02674 Mbytes 页数：5 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | ||
AO4807 | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches 文件：1.05505 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
AO4807 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4807 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4807 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4807L is a Green Pr 文件：111.33 Kbytes 页数：4 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | |
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4807 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4807 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4807L is a Green Pr 文件：111.33 Kbytes 页数：4 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD |
详细参数
- 型号：
AO4807
- 功能描述：
MOSFET DUAL P-CH -30V -6A 8-SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS美国万代 |
24+ |
SOP-8 |
888000 |
AOS代理商 优势供应美国万代AOS全系列 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
NA |
7825 |
原装正品!清仓处理! |
询价 | ||
AOS(万代) |
24+ |
标准封装 |
18913 |
我们只是原厂的搬运工 |
询价 | ||
SYFOREVER |
25+ |
SOP-8 |
20300 |
SYFOREVER原装特价AO4807即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
AOS/万代 |
2019+ |
SOP8 |
3470 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
SOP |
15000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
UMW 友台 |
23+ |
SOP-8 |
12000 |
原装正品，实单请联系 |
询价 | ||
AOS/万代 |
20+ |
SOP-8 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
SOP-8 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
AOS(万代)/UMW(友台) |
24+ |
SOP-8 |
5000 |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
询价 |
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