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AO4616	文件：540.11 Kbytes Page：11 Pages	丝印：AO4616；Package：SOP-8；30V P-Channel And N-Channel MOSFET Product Summary N-Channel VDS 30V ID (at VGS=-10V) 8A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：540.11 Kbytes 页数：11 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4616	文件：767.39 Kbytes Page：11 Pages	丝印：AO4616；Package：SOP-8；30V P-Channel And N-Channel MOSFET General Description The AO4616 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This complementary N and P channel MOSFET configuration is ideal for low Input Voltage inverter applications. 文件：767.39 Kbytes 页数：11 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4616	文件：540.11 Kbytes Page：11 Pages	丝印：AO4616；Package：SOP-8；30V P-Channel And N-Channel MOSFET Product Summary N-Channel VDS 30V ID (at VGS=-10V) 8A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：540.11 Kbytes 页数：11 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4616	文件：767.39 Kbytes Page：11 Pages	丝印：AO4616；Package：SOP-8；30V P-Channel And N-Channel MOSFET General Description The AO4616 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This complementary N and P channel MOSFET configuration is ideal for low Input Voltage inverter applications. 文件：767.39 Kbytes 页数：11 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4616	文件：1.84608 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4616；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 30V ID = 8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.84608 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4616-HF	文件：3.13403 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4616；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 30V ID = 8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：3.13403 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4616	文件：156.66 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4616 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in inverter and other applications.Standard Product AO4616 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4616L is a Green Produ 文件：156.66 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4616	文件：1.2314 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank 文件：1.2314 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4616L	文件：156.66 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4616 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in inverter and other applications.Standard Product AO4616 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4616L is a Green Produ 文件：156.66 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4616	文件：387.94 Kbytes Page：9 Pages	30V Complementary MOSFET 文件：387.94 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4616
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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