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AO4616L中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

AO4616L

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

156.66 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 14:13:00

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AO4616L规格书详情

General Description

The AO4616 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in inverter and other applications.Standard Product AO4616 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4616L is a Green Product ordering option. AO4616 and AO4616L are electrically identical.

特性 Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 30V -30V

ID = 8.1A (VGS=10V) -7.1A (VGS = -10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 20mΩ (VGS=10V) < 25mΩ (VGS = -10V)

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