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AO4419	文件：433.36 Kbytes Page：8 Pages	型号：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)-9.7A RDS(ON)(atVGS=-10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4419	文件：577.34 Kbytes Page：8 Pages	型号：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4419combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitch andbatteryprotectionapplications.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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AO4419

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型号：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET

ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)-9.7A RDS(ON)(atVGS=-10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

AO4419

文件：577.34 Kbytes

Page：8 Pages

型号：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAO4419combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitch andbatteryprotectionapplications.

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

详细参数

型号：
AO4419
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -9.7A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多AO4419供应商更新时间2025-7-29 10:03:00

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