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AO4419	文件：433.36 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10V) -9.7A RDS(ON) (at VGS=-10V) 文件：433.36 Kbytes 页数：8 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4419	文件：577.34 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET General Description The AO4419 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. 文件：577.34 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4419	文件：433.36 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10V) -9.7A RDS(ON) (at VGS=-10V) 文件：433.36 Kbytes 页数：8 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4419	文件：577.34 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET General Description The AO4419 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. 文件：577.34 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4419	文件：1.2783 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor [ALPHA & OMEGA] General Description The AO4419 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4419 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4419L is 文件：1.2783 Mbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO4419	文件：1.51059 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-9.7 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.51059 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4419	文件：274.52 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4419 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS -30V ID(at VGS=-10V) 文件：274.52 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4419	文件：2.52257 Mbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4419 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS -30V ID(at VGS=-10V) 文件：2.52257 Mbytes 页数：6 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4419	文件：555.34 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：555.34 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4419	文件：1.00276 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00276 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
AO4419
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -9.7A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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