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AO4411	文件：346.87 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4411；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET General Description The AO4411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 文件：346.87 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4411	文件：423.57 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4411；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET 文件：423.57 Kbytes 页数：6 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4411	文件：346.87 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4411；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET General Description The AO4411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 文件：346.87 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4411	文件：423.57 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4411；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET 文件：423.57 Kbytes 页数：6 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4411	文件：2.23127 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4411；Package：SOP8；P-Channel Power MOSFET Application Reverse Battery protection » Load switch « Power management PWM Application 文件：2.23127 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4411	文件：959.71 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：959.71 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4411	文件：1.25334 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=-30V,ID=-8A,RDS(ON) 文件：1.25334 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4411	文件：114.41 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4411 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4411L is a Green Pr 文件：114.41 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4411	文件：2.81923 Mbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10V) 文件：2.81923 Mbytes 页数：6 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4411	文件：1.27134 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-8 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.27134 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

详细参数

型号：
AO4411
功能描述：
MOSFET P CH 30V 8A SOIC 8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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