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STGW25H120F2	文件：957.14 Kbytes Page：17 Pages	Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartoftheHseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofhigh switchingfrequency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW25H120F2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGW25H120F2

文件：957.14 Kbytes

Page：17 Pages

Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartoftheHseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofhigh switchingfrequency

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGW25H120F2

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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APTGV25H120BG

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BoostchopperFull-BridgeNPT&TrenchFieldStopIGBTPowermodule

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

产品属性

产品编号：
STGW25H120F2
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，25A
开关能量：
600µJ（开），700µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
29ns/130ns
测试条件：
600V，25A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STGW25H120F2	STMicroelectronics	24+	TO-247-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多STGW25H120F供应商更新时间2024-5-25 18:49:00

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