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APTGV25H120BG分立半导体产品晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

APTGV25H120BG
厂商型号

APTGV25H120BG

参数属性

APTGV25H120BG 封装/外壳为SP4;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP4

功能描述

Boost chopper Full - Bridge NPT & Trench Field Stop IGBT Power module
IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP4

文件大小

452.12 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-27 18:32:00

APTGV25H120BG规格书详情

APTGV25H120BG属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块。美高森美公司制造生产的APTGV25H120BG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

  • 产品编号:

    APTGV25H120BG

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    NPT,沟槽型场截止

  • 配置:

    升压斩波器,全桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,25A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SP4

  • 供应商器件封装:

    SP4

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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