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RJH30	文件：158.32 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH30E2	文件：158.32 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH30H1DPP-M0	文件：158.32 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH30H2DPK-M0	文件：158.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.4Vtyp ●Highspeedswitching:tr=100nstyp,tf=180nstyp ●Lowleakcurrent:ICES=1Amax ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp,trr=23nstyp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH3044	文件：46.53 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N channel IGBT, 360V, 30A	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
RJH30
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RJH30供应商更新时间2025-5-29 13:31:00

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