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RJH60D1DPE	文件：170.02 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.9Vtyp.(atIC=10A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
RJH60D1DPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
RJH60D1DPE-00-J3	文件：170.02 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.9Vtyp.(atIC=10A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
RJH60D1DPE_11	文件：86.98 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
RJH60D1DPE_15	文件：111.47 Kbytes Page：10 Pages	600V - 10A - IGBT Application: Inverter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
RJH60D1DPE-00#J3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-83；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 52W LDPAK	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

Series Name：
RJH60Dx Series
Number of Channels：
Single
Configuration [Device]：
Built-In FRD
VCES (V)：
600
IC (A) @25 °C：
20
IC (A) @100 °C：
10
VCE(sat) (V)：
1.9
tf (μs) typ.：
0.075
tsc (μs)：
3
FRD Vf (V)：
1.2
FRD trr (ns)：
100
Pch (W)：
52
Application：
Inverter
Mounting Type：
Surface Mount
Package Type：
LDPAK(S)
Production Status：
Non-promotion
Downloadable：
SPICE
Web Simulation：
Renesas VP

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