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RJH60D1DPE-00-J3	文件：170.02 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.9Vtyp.(atIC=10A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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