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RJH30H2DPK-M0	文件：158.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.4Vtyp ●Highspeedswitching:tr=100nstyp,tf=180nstyp ●Lowleakcurrent:ICES=1Amax ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp,trr=23nstyp	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP30H2DPK-M0	文件：166.25 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.4Vtyp ●Highspeedswitching:tf=100nstyp,tf=180nstyp ●Lowleakcurrent:ICES=1Amax	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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RJH30H2DPK-M0

文件：158.09 Kbytes

Page：7 Pages

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.4Vtyp ●Highspeedswitching:tr=100nstyp,tf=180nstyp ●Lowleakcurrent:ICES=1Amax ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp,trr=23nstyp

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

RJP30H2DPK-M0

文件：166.25 Kbytes

Page：7 Pages

SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.4Vtyp ●Highspeedswitching:tf=100nstyp,tf=180nstyp ●Lowleakcurrent:ICES=1Amax

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

RJP30H2DPK-M0

文件：159.37 Kbytes

Page：6 Pages

Trenchgateandthinwafertechnology

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
RJH30H2DPK-M0
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching

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更多RJH30H2DPK-M0供应商更新时间2024-5-20 11:36:00

详细参数

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