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RJH30H2DPK-M0规格书详情
特性 Features
● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ
● High speed switching: tr = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
● Low leak current: ICES = 1 A max
● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ , trr = 23 ns typ
技术参数
- 型号：
RJH30H2DPK-M0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
瑞萨 |
24+ |
NA/ |
13888 |
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RENESAS |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO3P |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
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RENESAS |
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RENESAS/HITACHI |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO3P |
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RENESAS |
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TO-3P |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESA |
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