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RJH1CV7DPK数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

RJH1CV7DPK

参数属性

RJH1CV7DPK 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 70A 320W TO-3P

功能描述

IGBTs

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:13:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RJH1CV7DPK

  • 生产厂家

    :Renesas

  • PLP

    :-

  • 可下载

    :SPICE

  • 封装类型

    :TO-3P

  • 通道数

    :Single

  • 配置[器件]

    :Built-In FRD

  • 逆变器

    :YES

  • VCES (V)

    :1200

  • Ic (峰值) (A)

    :105

  • IC (A) @25 °C

    :70

  • IC (A) @100 °C

    :35

  • VCE (sat)(V)

    :1.8

  • tf (µs) 典型值

    :0.28

  • tsc (µs)

    :5

  • FRD Vf (V)

    :2.1

  • FRD trr (ns)

    :200

  • Pch (W)

    :320

  • 应用

    :Inverter

  • 安装类型

    :Through Hole

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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