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RJH30H1DPP规格书详情
特性 Features
● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.
● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.
● Low leak current: ICES = 1 A max.
● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.
● Isolated package: TO-220FL
技术参数
- 型号：
RJH30H1DPP
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
瑞萨 |
24+ |
NA/ |
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