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RJH30H1DPP中文资料Silicon N Channel IGBT High speed power switching数据手册Renesas规格书
RJH30H1DPP规格书详情
特性 Features
● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.
● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.
● Low leak current: ICES = 1 A max.
● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.
● Isolated package: TO-220FL
技术参数
- 型号：
RJH30H1DPP
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/HITACHI |
2223+ |
TO-263-ORIG |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
T0-3P |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS |
PBFREE |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
瑞萨 |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-220F |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
