RJH30中文资料Silicon N Channel IGBT High speed power switching数据手册Renesas规格书
RJH30规格书详情
描述 Description
Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series), High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ., Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.
技术参数
- 型号：
RJH30
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-3P |
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