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厂商型号

RJH30

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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RJH30规格书详情

描述 Description

Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series), High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ., Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

技术参数

  • 型号:

    RJH30

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

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