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RJP30H2DPK-M0中文资料PDF规格书

RJP30H2DPK-M0
厂商型号

RJP30H2DPK-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

166.25 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-13 0:03:00

RJP30H2DPK-M0规格书详情

Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ

● High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ

● Low leak current: ICES = 1 A max

产品属性

  • 型号:

    RJP30H2DPK-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

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