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RJP30H2DPK-M0规格书详情
特性 Features
● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ
● High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
● Low leak current: ICES = 1 A max
产品属性
- 型号：
RJP30H2DPK-M0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
27 |
询价 | |||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
612 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS |
10+ |
TO-3P |
335 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-3P |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
TO-3P |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-3P |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
