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RJP30E2DPP-M0规格书详情
1. Trench gate technology (G5H series)
2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ
3. High speed switching tf = 150 ns typ
4. Low leak current ICES= 1 μA max
5. Isolated package TO-220FL
产品属性
- 型号:
RJP30E2DPP-M0
- 制造商:
RENESAS
- 制造商全称:
Renesas Technology Corp
- 功能描述:
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
1932+ |
TO-220F |
480 |
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RENESAS |
23+ |
TO-3P |
12800 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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RENESAS |
24+ |
TO-3P |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
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RENESAS |
TO-3P |
56520 |
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Renesas |
24+ |
TO-220F |
8150 |
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RENESAS |
24+ |
T0-3P |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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RENESAS |
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RENESAS |
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TO-220F |
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RENESAS |
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