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RJP30E2DPP-M0规格书详情
1. Trench gate technology (G5H series)
2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ
3. High speed switching tf = 150 ns typ
4. Low leak current ICES= 1 μA max
5. Isolated package TO-220FL
产品属性
- 型号:
RJP30E2DPP-M0
- 制造商:
RENESAS
- 制造商全称:
Renesas Technology Corp
- 功能描述:
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
24+ |
TO-220F |
8150 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
询价 | ||
RENESAS |
2511 |
TO-3P |
10480 |
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RENESAS |
20+ |
TO-3P |
10480 |
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24+ |
N/A |
76000 |
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RENESAS/瑞萨 |
TO-3P |
22+ |
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RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
170 |
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询价 | |||
RENESAS |
1932+ |
TO-220F |
480 |
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RENESAS |
24+ |
T0-3P |
12000 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
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RENESAS |
18+ |
TO-3P |
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