首页>RJP30E2DPK-M0>规格书详情
RJP30E2DPK-M0中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
RJP30E2DPK-M0规格书详情
特性 Features
• Trench gate technology (G5H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
• High speed switching tf = 150 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
产品属性
- 型号：
RJP30E2DPK-M0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
25+ |
TO-TO-220F |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS |
TO3P |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO3PN |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
RENESAS |
18+ |
TO-220F |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-3P |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
瑞萨 |
24+ |
NA/ |
17138 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-3P |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
