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RJP30E2DPK-M0规格书详情
特性 Features
• Trench gate technology (G5H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
• High speed switching tf = 150 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
产品属性
- 型号:
RJP30E2DPK-M0
- 制造商:
RENESAS
- 制造商全称:
Renesas Technology Corp
- 功能描述:
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
20+ |
TO-3P |
10480 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
2511 |
TO-3P |
10480 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO3PN |
11200 |
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24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
RENESAS |
23+ |
TO-3P |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-3P |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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瑞萨 |
23+ |
TO3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-220F |
54648 |
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