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RJP30E2DPP-M0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

1. Trench gate technology (G5H series) 2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ 3. High speed switching tf = 150 ns typ 4. Low leak current ICES= 1 μA max 5. Isolated package TO-220FL

文件:158.83 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJP30E2DPP-M0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Renesas

瑞萨

RJP4003ANS-00#Q1

Renesas
-

RJP4007ANS-00#Q6

RENESAS/瑞萨
VSON8

RENESAS/瑞萨

RJP4007ANS-WS

Renesas
-

详细参数

  • 型号:

    RJP30E2DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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更多RJP30E2DPP-M0供应商 更新时间2025-10-5 8:40:00