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RJP30E3DPK-M0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features •Trenchgatetechnology(G5Hseries) •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.6Vtyp •Highspeedswitchingtf=150nstyp •LowleakcurrentICES=1μAmax

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    RJP30E3DPK-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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更多RJP30E3DPK-M0供应商 更新时间2025-7-20 11:00:00