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RJP63F3DPP-M0	文件：186.2 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Trench gate and thin wafer technology (G6H series) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ • High speed switching tf = 100 ns typ • Low leak current ICES = 1 μA max • Isolated package TO-220FL 文件：186.2 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
RJP63F3DPP-M0
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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