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RJP63K2DPK-M0	文件：160.93 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High speed power switching Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.9Vtyp Highspeedswitching:tr=60nstyp,tf=200nstyp. Lowleakcurrent:ICES=1Amax	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJP63K2DPK-M0

文件：160.93 Kbytes

Page：7 Pages

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

*Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) *Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.9Vtyp *Highspeedswitching:tr=60nstyp,tf=200nstyp. *Lowleakcurrent:ICES=1Amax

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
RJP63K2DPK-M0
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching

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更多RJP63K2DPK-M0供应商更新时间2025-5-17 16:48:00

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