首页>RJP63K2DPK-M0>规格书详情
RJP63K2DPK-M0中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
RJP63K2DPK-M0规格书详情
* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ
* High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.
* Low leak current: ICES= 1 A max
产品属性
- 型号：
RJP63K2DPK-M0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
291 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-220F |
3670 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
PBFREE |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO3P |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
TO-220 |
30 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
2511 |
TO-220 |
30 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS |
18+ |
TO-220 |
140 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
PBFREE |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
