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RJP60V0DPM-80规格书详情
600V - 22A - IGBT Application: Inverter
特性 Features
High breakdown-voltage
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.5 V typ. (at IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
Short circuit withstand time (6 s typ.)
Trench gate and thin wafer technology (G6H series)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2511 |
TO-220F |
199 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3PF |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
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询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3PF |
6000 |
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HITACHI |
24+ |
TO220F |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
TO-220F |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
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TO220F |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-220 |
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询价 |


