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RJP60D0DPP-M0-T2规格书详情
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Features
Short circuit withstand time (5 s typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
Gate to emitter voltage rating 30 V
Pb-free lead plating and chip bonding
产品属性
- 型号:
RJP60D0DPP-M0-T2
- 制造商:
RENESAS
- 制造商全称:
Renesas Technology Corp
- 功能描述:
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
DIE |
22+ |
56000 |
全新原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
4-LDPAK |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS |
1922+ |
TO-220F |
480 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-220F |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
TO-220F |
480 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
RENESAS |
22+ |
NA |
20000 |
原装,进口 |
询价 | ||
Renesas |
22+ |
4LDPAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |