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RJP60D0DPP-M0-T2规格书详情
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
特性 Features
Short circuit withstand time (5 s typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
Gate to emitter voltage rating 30 V
Pb-free lead plating and chip bonding
产品属性
- 型号：
RJP60D0DPP-M0-T2
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2511 |
TO-220F |
480 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Renesas |
22+ |
4LDPAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
5000 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
询价 | |||
RENESAS |
1922+ |
TO-220F |
480 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 |
