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RJP60D0DPP-M0-T2
厂商型号

RJP60D0DPP-M0-T2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

85.11 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-25 15:22:00

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RJP60D0DPP-M0-T2规格书详情

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features

 Short circuit withstand time (5 s typ.)

 Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)

 Gate to emitter voltage rating 30 V

 Pb-free lead plating and chip bonding

产品属性

  • 型号:

    RJP60D0DPP-M0-T2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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