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RJP60D0DPP-M0-T2	文件：85.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating 文件：85.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJP60D0DPP-M0-T2供应商更新时间2025-10-5 11:10:00