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RJP60D0DPP-M0-T2	文件：85.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplating	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJP60D0DPP-M0-T2

文件：85.11 Kbytes

Page：7 Pages

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplating

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
RJP60D0DPP-M0-T2
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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更多RJP60D0DPP-M0-T2供应商更新时间2025-7-18 15:01:00

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