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RJP6003DPM中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

RJP6003DPM
厂商型号

RJP6003DPM

功能描述

600V - 20A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

文件大小

110 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 9:31:00

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RJP6003DPM规格书详情

Features

• Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

• Built in fast recovery diode in one package

• Trench gate and thin wafer technology

• High speed switching

tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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