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RJP6085DPN分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

RJP6085DPN
厂商型号

RJP6085DPN

参数属性

RJP6085DPN 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A TO220AB

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

封装外壳

TO-220-3

文件大小

105.41 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 22:58:00

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RJP6085DPN规格书详情

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features

• High speed switching

• Low collector to emitter saturation voltage

产品属性

  • 产品编号:

    RJP6085DPN-00#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,40A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 40A TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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