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RJP6085DPN

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features •Highspeedswitching •Lowcollectortoemittersaturationvoltage

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJP6085DPN-00-T2

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features •Highspeedswitching •Lowcollectortoemittersaturationvoltage

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJP6085DPN_15

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJP6085DPN-00#T2

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 40A TO220AB

ETC

ETC

RJU003N03GZT106

罗姆
SOT323

罗姆

相关企业:深圳庞田科技有限公司

罗姆

详细参数

  • 型号:

    RJP6085DPN

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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更多RJP6085DPN供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00