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RJP60F5DPK分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJP60F5DPK |
| 参数属性 | RJP60F5DPK 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 600V 80A 260.4W |
| 功能描述 | 600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching |
| 文件大小 |
85.73 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-23 10:30:00 |
RJP60F5DPK规格书详情
Features
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
High speed switching
tf = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
RJP60F5DPK属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。瑞萨科技有限公司制造生产的RJP60F5DPK晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
RJP60F5DPK-01#T0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，40A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/90ns
- 测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 600V 80A 260.4W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
22+ |
TO3P |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
瑞萨 |
24+ |
TO3PF |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-3P |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
RENESAS |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
询价 | ||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3PF |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
78000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
RENESAS |
21+ |
TO-3P |
9866 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
4409 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 |
