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RJP60F0DPM分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJP60F0DPM |
| 参数属性 | RJP60F0DPM 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM |
| 功能描述 | 600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
86.06 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 22:30:00 |
| 人工找货 | RJP60F0DPM价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJP60F0DPM规格书详情
600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching
特性 Features
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.4 V typ. (at IC= 25 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
产品属性
- 产品编号：
RJP60F0DPM-00#T1
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.82V @ 15V，25A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
46ns/70ns
- 测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-3PFM
- 描述：
IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO3P |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3PF |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-3PFM |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
1922+ |
TO-220F |
480 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-220F |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
TO-220F |
480 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
2511 |
TO-220F |
480 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
