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|---|---|---|---|---|
RJP63K2DPP-M0 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) 2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ 3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ. 4. Low leak current: ICES= 1 A max 5. Isolated package TO-220FL 文件：151.02 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
RJP63K2DPP-M0 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching | Renesas 瑞萨 | Renesas | |
罗姆 | 罗姆 上传：深圳庞田科技有限公司 | 罗姆 | ||
ROHM/罗姆 | ROHM/罗姆 上传：佛山市芯光达科技有限公司 | ROHM/罗姆 |
详细参数
- 型号：
RJP63K2DPP-M0
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
7523 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
RENESAS |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
RENESA |
23+ |
129 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | |||
RENESA |
25+ |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 | |||
RENESA |
24+ |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | |||
RENESA |
2511 |
129 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 |
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更新时间2025-10-4 10:01:00
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