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RJP63K2DPP-M0中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

RJP63K2DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

151.02 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 23:01:00

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RJP63K2DPP-M0规格书详情

1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ

3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.

4. Low leak current: ICES= 1 A max

5. Isolated package TO-220FL

产品属性

  • 型号:

    RJP63K2DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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