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RJP60D0DPP-M0	文件：85.11 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplating	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJP60D0DPP-M0

文件：85.11 Kbytes

Page：7 Pages

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplating

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