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RJP60D0DPK	文件：84.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplatingan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60D0DPK-00-T0	文件：84.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplatingan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60D0DPK_15	文件：84.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60D0DPK-00#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 45A 140W TO-3P	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
RJP60D0DPM	文件：81.56 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplatingan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
STB60D0	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STB60D0	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU60D0	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU60D0	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ60D0	文件：476.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGERANGE:3.3-200V POWER:5.0Watts Features •CompleteVoltageRange3.3to200Volts •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
RJP60D0DPK
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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