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RJP60F4DPM	文件：85.61 Kbytes Page：7 Pages	600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C) ● Trench gate and thin wafer technology ● High speed switching 文件：85.61 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60F4DPM_15	文件：85.61 Kbytes Page：7 Pages	600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching 文件：85.61 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60F4DPM	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJP60F4DPM-00#T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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更多RJP60F4DPM供应商更新时间2025-12-12 14:16:00