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RJP60D0DPK-00-T0	文件：84.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplatingan	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60D0DPK-00-T0	文件：171.47 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplatingan

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SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter

Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=

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