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RJH60D0DPK-00-T0	文件：171.47 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：171.47 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60D0DPK-00-T0	文件：84.57 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating an 文件：84.57 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJH60D0DPK-00-T0供应商更新时间2025-12-11 13:39:00