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RJP60F0DPE	文件：87.89 Kbytes Page：7 Pages	600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching 600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.4 V typ. (at IC= 25 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf= 90 ns typ. (at IC= 30 A, VCE 文件：87.89 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60F0DPE_15	文件：87.89 Kbytes Page：7 Pages	600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching 文件：87.89 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60F0DPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJP60F0DPE-00#J3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-83；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 50A 122W LDPAK	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	RJP60F0DPE-00#J3	RENESAS/瑞萨	23+	LDPAK	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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更多RJP60F0DPE供应商更新时间2026-1-27 14:18:00